IGBTs PowerMESH" IGBT transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: IGBTs
RoHS:
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Estilo de montagem: Through Hole
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2 V
Tensão do emissor do gate máxima: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 20 A
Pd - Dissipação de potência: 25 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: STGP10NC60KD
Embalagem: Tube
Marca: STMicroelectronics
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 20 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: IGBT Transistors